而且，微语具有广阔带电荷3D网络的聚电解质凝胶可以充当离子扩散促进剂，从而大大提高界面传输效率。

位错分布的不均匀不仅源于层厚的影响，录精也源于晶粒方向的不同。奥氏体约占15%，回忆马氏约占85%。

变形后晶粒尺寸的增加可以忽略不计，过去表明机械驱动的晶粒粗化受到抑制，这意味着退火后的样品中GBs在应变方面是稳定的。微语从相界开始的纳米孪晶表明片层奥氏体晶粒经历了高应力水平(图3D)。录精纳米孪晶的形成是其拥有良好力学性能的重要原因。

(A)明场图像和电子衍射图(插图)，回忆显示其由大致等轴的亚微米晶粒组成，取向是随机，由高角度GBs分离。过去箭头表示位错胞边界的中断。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，微语投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。

位错分布不均匀，录精因为在分离厚层的TBs上观察到的位错较多，在分离薄层的TBs上观察到的位错较少。奥氏体相的微观结构也不均匀，回忆包括粗糙的片层(图5A)、超细的片层(图5D)和亚微米颗粒(图5E)。

d.三维原子重构图，过去显示两族原子平面-{011}和{002}-在层析成像重建中具有完美的连续性。c.变形样品的高分辨透射图像，微语可以看出γa/γb，γb/γc，γc/γd的多重孪晶结构。

本内容为作者独立观点，录精不代表材料人网立场。可以将形变引起的颗粒粗化(类似于先前在压痕、回忆压缩和拉伸下观察到的各种纳米样品)归因于GB介导的变形过程，如机械驱动的GB迁移或晶粒旋转。